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Référence fabricant
FQB22P10TM
P-Channel 100 V 22 A 125 mOhm Surface Mount Q-FET Mosfet - D2PAK
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2445 | ||||||||||
onsemi FQB22P10TM - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FQB22P10TM&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fqb22p10tm-onsemi-2491249
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onsemi FQB22P10TM - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.125Ω |
| Rated Power Dissipation: | 3.75|W |
| Qg Gate Charge: | 40nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FQB22P10 is a 100 V 0.125 Ω P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using planar stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.
Features:
- -22 A, -100 V, RDS(on) = 0.125 Ω @VGS = -10 V
- Low gate charge ( typical 40 nC)
- Low Crss ( typical 160 pF)
- Fast switching
- 100% avalanche tested
- Improved dv/dt capability
- 175° maximum junction temperature rating
- RoHS Compliant
Applications:
- Amplifier
- High efficiency switching
- DC/DC converters
- DC motor control
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount