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Référence fabricant
IPA50R950CEXKSA2
CoolMOS
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPA50R950CEXKSA2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPA50R950CEXKSA2&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipa50r950cexksa2-infineon-9182172
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPA50R950CEXKSA2&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipa50r950cexksa2-infineon-9182172
Infineon IPA50R950CEXKSA2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 500V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 950mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 25.7W |
| Qg Gate Charge: | 10.5nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 3.7A |
| Turn-on Delay Time: | 7ns |
| Turn-off Delay Time: | 25ns |
| Rise Time: | 4.9ns |
| Fall Time: | 19.5ns |
| Operating Temp Range: | -40°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3.5V |
| Input Capacitance: | 231pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$0.335
250
$0.325
1 250
$0.315
5 000
$0.31
12 500+
$0.30
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole