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Référence fabricant
IPA80R1K0CEXKSA2
Single N-Channel 800 V 950 mOhm 31 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-220-3FP
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220FP (TO-220FPAB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPA80R1K0CEXKSA2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPA80R1K0CEXKSA2&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipa80r1k0cexksa2-infineon-9064710
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Infineon IPA80R1K0CEXKSA2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 800V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 950mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 32|W |
| Qg Gate Charge: | 31nC |
| Style d'emballage : | TO-220FP (TO-220FPAB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
500
$0.76
1 500
$0.745
2 000
$0.74
5 000
$0.725
7 500+
$0.715
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220FP (TO-220FPAB)
Méthode de montage :
Through Hole