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Référence fabricant
IPP65R310CFDXKSA2
650V 11.4 A 310 mΩ N-ch TO-220
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPP65R310CFDXKSA2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPP65R310CFDXKSA2&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipp65r310cfdxksa2-infineon-5111823
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Infineon IPP65R310CFDXKSA2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.31Ω |
| Rated Power Dissipation: | 104.2W |
| Qg Gate Charge: | 41nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 11.4A |
| Turn-on Delay Time: | 11ns |
| Turn-off Delay Time: | 45ns |
| Rise Time: | 7.5ns |
| Fall Time: | 7ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 1100pF |
| Series: | CoolMOS CFD2 |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
20
$1.09
75
$1.08
250
$1.06
1 000
$1.05
3 000+
$1.02
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole