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Référence fabricant
IRF3805PBF
Single N-Channel 55 V 3.3 mOhm 190 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Flange Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2547 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRF3805PBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRF3805PBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irf3805pbf-infineon-5183552
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Infineon IRF3805PBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 55V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3.3mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 300|W |
| Qg Gate Charge: | 190nC |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Flange Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$1.96
200
$1.93
750
$1.91
1 250
$1.90
2 500+
$1.86
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Flange Mount