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Référence fabricant
IRFSL7437PBF
Single N-Channel 40 V 1.8 mOhm 150 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-262 (I2PAK) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2510 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRFSL7437PBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFSL7437PBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfsl7437pbf-infineon-6183559
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Infineon IRFSL7437PBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.8mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 230|W |
| Qg Gate Charge: | 150nC |
| Style d'emballage : | TO-262 (I2PAK) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$0.925
200
$0.90
1 000
$0.87
2 000
$0.86
6 250+
$0.83
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-262 (I2PAK)
Méthode de montage :
Through Hole