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Référence fabricant
RQ3E120GNTB
RQ3E120GN Series 30 V 27 A 15 W Surface Mount N-Channel Power Mosfet - HSMT-8
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| Nom du fabricant: | ROHM | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2320 | ||||||||||
Product Specification Section
ROHM RQ3E120GNTB - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=RQ3E120GNTB&field4=ROHM&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/rq3e120gntb-rohm-7096120
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=RQ3E120GNTB&field4=ROHM&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/rq3e120gntb-rohm-7096120
ROHM RQ3E120GNTB - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 8.8mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2W |
| Qg Gate Charge: | 10nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 12A |
| Turn-on Delay Time: | 9.6ns |
| Turn-off Delay Time: | 25.5ns |
| Rise Time: | 4.5ns |
| Fall Time: | 3.4ns |
| Gate Source Threshold: | 2.5V |
| Input Capacitance: | 590pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
6 000
États-Unis:
6 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.169
6 000
$0.167
12 000
$0.165
15 000
$0.164
45 000+
$0.161
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount