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Référence fabricant

SI3433CDV-T1-E3

Single P-Channel 20 V 38 mOhm Surface Mount TrenchFET® Power Mosfet - TSOP-6

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Vishay
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Vishay SI3433CDV-T1-E3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 38mΩ
Rated Power Dissipation: 1.6W
Qg Gate Charge: 30nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 8V
Drain Current: 5.2A
Turn-on Delay Time: 20ns
Turn-off Delay Time: 50ns
Rise Time: 22ns
Fall Time: 20ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 1V
Input Capacitance: 1300pF
Style d'emballage :  SC-74 (TSOP-6)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
36 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
495,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.165
6 000
$0.163
12 000
$0.161
45 000+
$0.157
Product Variant Information section