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STMicroelectronics | STB85NF55LT4

Référence fabricant

STB85NF55LT4

STB85NF55L Series 55 V 0.0060 Ohm 80 A N-Ch. STripFET™ II Power Mosfet - D2PAK-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STB85NF55LT4 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 55V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.008Ω
Rated Power Dissipation: 300|W
Qg Gate Charge: 110nC
Style d'emballage :  TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The STB85NF55LT4 is a Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "single feature size" strip-based process.

The resulting transistorshows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics andless critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

Features:

  • Low threshold drive

Application:

  • Switching applications
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
10 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
Total 
1 120,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.12
2 000
$1.11
4 000
$1.10
5 000+
$1.09
Product Variant Information section