Référence fabricant
STP30NF10
N-Channel 100 V 45 mOhm Flange Mount Power Mosfet - TO-220
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) |
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| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STP30NF10 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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N/A
Code HTS:
N/A
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
STMicroelectronics STP30NF10 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.045Ω |
| Rated Power Dissipation: | 115|W |
| Qg Gate Charge: | 40nC |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
Fonctionnalités et applications
The STP30NF10 is a N-Channel Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET. It has an Operating temperature ranges b/w -55 °C to 175 °C and available in TO-220 package.
The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
Features:
- Exceptional dv/dt capability
- 100% avalanche tested
- Application oriented characterization
Applications:
- Switching applications
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
11 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$0.455
200
$0.445
750
$0.435
2 000
$0.425
7 500+
$0.41
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)