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STMicroelectronics | STW33N60M2

Référence fabricant

STW33N60M2

Single N-Channel 600 V 0.125 Ohm 45.5 nC 190 W Flange Mount Mosfet - TO-247-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STW33N60M2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.125Ω
Rated Power Dissipation: 190W
Qg Gate Charge: 45.5nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 25V
Drain Current: 26A
Turn-on Delay Time: 16ns
Turn-off Delay Time: 109ns
Rise Time: 9.6ns
Fall Time: 9ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 4V
Technology: Si
Height - Max: 20.15mm
Length: 15.75mm
Input Capacitance: 1781pF
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
600
Multiples de :
30
Total 
1 812,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
$3.12
120
$3.07
450
$3.02
750
$3.00
1 500+
$2.95
Product Variant Information section