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Référence fabricant
BSC0901NSATMA1
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2337 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon BSC0901NSATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSC0901NSATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsc0901nsatma1-infineon-5173859
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Infineon BSC0901NSATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.9mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5W |
| Qg Gate Charge: | 44nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 28A |
| Turn-on Delay Time: | 5.4ns |
| Turn-off Delay Time: | 28ns |
| Rise Time: | 6.8ns |
| Fall Time: | 4.8ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2.2V |
| Input Capacitance: | 2800pF |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
30 000
États-Unis:
30 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.325
15 000
$0.32
25 000+
$0.315
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Méthode de montage :
Surface Mount