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Référence fabricant

BSD840NH6327XTSA1

Dual N-Channel 20 V 400 mOhm 0.26 nC OptiMOS™ Small Signal Mosfet - SOT-363

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Code de date:
Product Specification Section
Infineon BSD840NH6327XTSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: Dual N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 20V
Drain-Source On Resistance-Max: 400mΩ
Rated Power Dissipation: 500|mW
Qg Gate Charge: 0.26nC
Style d'emballage :  SOT-363 (SC-70-6, SC-88)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Commande minimale :
9000
Multiples de :
3000
Total 
399,60 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0452
6 000
$0.0444
12 000
$0.0437
15 000
$0.0435
45 000+
$0.042