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Référence fabricant
BSH105,215
BSH105 Series 20 V 200 mOhm 417 mW N-Ch Enhancement Mode MOS Transistor - SOT-23
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| Nom du fabricant: | Nexperia | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-23 (SC-59,TO-236) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Nexperia BSH105,215 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BSH105,215&field4=Nexperia&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/bsh105-215-nexperia-3398401
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Nexperia BSH105,215 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 200mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 417mW |
| Qg Gate Charge: | 3.9nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 8V |
| Drain Current: | 1.05A |
| Turn-on Delay Time: | 2ns |
| Turn-off Delay Time: | 45ns |
| Rise Time: | 4.5ns |
| Fall Time: | 20ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 0.57V |
| Technology: | Si |
| Input Capacitance: | 152pF |
| Style d'emballage : | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.20
6 000
$0.198
12 000
$0.196
15 000
$0.195
45 000+
$0.191
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage :
Surface Mount