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Référence fabricant
BSZ120P03NS3GATMA1
Single P-Channel 30 V 12 mOhm 30 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TSDSON-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Reel Style d'emballage :TSDSON-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2429 | ||||||||||
Infineon BSZ120P03NS3GATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Description:NO change on electrical, thermal parameters and reliability as proven via product qualification and characterization. NO change in existing datasheet parameters NO change in quality and reliability. Processes are optimized to meet product performance according to already applied Infineon specification
Statut du produit:
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Infineon BSZ120P03NS3GATMA1 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 12mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.1W |
| Qg Gate Charge: | 30nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 25V |
| Drain Current: | 11A |
| Turn-on Delay Time: | 13ns |
| Turn-off Delay Time: | 23ns |
| Rise Time: | 11ns |
| Fall Time: | 5ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2.5V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 2240pF |
| Style d'emballage : | TSDSON-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
TSDSON-8
Méthode de montage :
Surface Mount