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Infineon | BSZ120P03NS3GATMA1

Référence fabricant

BSZ120P03NS3GATMA1

Single P-Channel 30 V 12 mOhm 30 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TSDSON-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2429
Product Specification Section
Infineon BSZ120P03NS3GATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 12mΩ
Rated Power Dissipation: 2.1W
Qg Gate Charge: 30nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 25V
Drain Current: 11A
Turn-on Delay Time: 13ns
Turn-off Delay Time: 23ns
Rise Time: 11ns
Fall Time: 5ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 2.5V
Technology: OptiMOS
Input Capacitance: 2240pF
Style d'emballage :  TSDSON-8
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
10 000
États-Unis:
10 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
52+Semaines
Commande minimale :
5000
Multiples de :
5000
Total 
1 750,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.35
10 000
$0.345
20 000+
$0.34
Product Variant Information section