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Référence fabricant
DMT10H072LFV-7
100V, 20A, 62mohm, N-Channel, POWERDI3333-8
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2000 par Reel Style d'emballage :POWERDI3333-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2540 | ||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMT10H072LFV-7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMT10H072LFV-7&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmt10h072lfv-7-diodes-incorporated-9131208
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Diodes Incorporated DMT10H072LFV-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 62mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2W |
| Qg Gate Charge: | 4.5nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 4.7A |
| Turn-on Delay Time: | 3ns |
| Turn-off Delay Time: | 12.3ns |
| Rise Time: | 3.1ns |
| Fall Time: | 4.3ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 2.8V |
| Input Capacitance: | 228pF |
| Style d'emballage : | POWERDI3333-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 000
$0.17
6 000
$0.167
10 000
$0.166
20 000
$0.164
40 000+
$0.161
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2000 par Reel
Style d'emballage :
POWERDI3333-8
Méthode de montage :
Surface Mount