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Référence fabricant
FDD86369
80V, 90A, 7.9mΩ N-ch DPAK
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2317 | ||||||||||
Product Specification Section
onsemi FDD86369 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDD86369&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdd86369-onsemi-2132183
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onsemi FDD86369 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 80V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 7.9mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 150W |
| Qg Gate Charge: | 54nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 90A |
| Turn-on Delay Time: | 13ns |
| Turn-off Delay Time: | 22ns |
| Rise Time: | 34ns |
| Fall Time: | 9ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | PowerTrench |
| Input Capacitance: | 2530pF |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
10 000
États-Unis:
10 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
42 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.78
5 000
$0.77
7 500
$0.765
10 000+
$0.755
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount