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Référence fabricant
IMW120R350M1HXKSA1
Single N-Channel 1200 V 4.7 A 60 W CoolSiC™ Through Hole Mosfet - TO-247-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :240 par Reel Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IMW120R350M1HXKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IMW120R350M1HXKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/imw120r350m1hxksa1-infineon-6116343
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Infineon IMW120R350M1HXKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 468mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 60W |
| Qg Gate Charge: | 5.3nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 23V |
| Drain Current: | 4.7A |
| Turn-on Delay Time: | 7ns |
| Turn-off Delay Time: | 11.4ns |
| Rise Time: | 0.7ns |
| Fall Time: | 21.5ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 4.5V |
| Technology: | SiC |
| Input Capacitance: | 182pF |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
240
$2.30
480
$2.28
720
$2.27
960
$2.26
1 200+
$2.24
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
240 par Reel
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole