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Référence fabricant
IPB64N25S320ATMA1
IPB64N25S3 Series 250 V 20 mOhm 64 A OptiMOS®-T Power-Transistor - PG‐TO-263‐3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPB64N25S320ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Actif
Actif
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Infineon IPB64N25S320ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 250V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 20mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 300W |
| Qg Gate Charge: | 67nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 64A |
| Turn-on Delay Time: | 18ns |
| Turn-off Delay Time: | 45ns |
| Rise Time: | 20ns |
| Fall Time: | 12ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 5240pF |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
9 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$3.50
2 000+
$3.45
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount