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Référence fabricant
IPD025N06NATMA1
Single N-Channel 60 V 2.5 mOhm 71 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TO-252-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :TO-252-3 (DPAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2436 | ||||||||||
Infineon IPD025N06NATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Detailed change informationSubject Extension of shelf lifetime from 3 to 5 years for products in SMD (Surface Mount Devices) and Leadless packagesReason Extension of shelf lifetime and product availabilityDescription Maximum storage timeOld - 3 years New- 5 yearsIntended start of delivery Immediately
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPD025N06NATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipd025n06natma1-infineon-9173895
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Infineon IPD025N06NATMA1 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 3W |
| Qg Gate Charge: | 71nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 90A |
| Turn-on Delay Time: | 16ns |
| Turn-off Delay Time: | 34ns |
| Rise Time: | 20ns |
| Fall Time: | 12ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2.8V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 5200pF |
| Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount