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Référence fabricant

IPD85P04P4L06ATMA2

IPD85P04P4L06 Series 40 V 85 A 6.4 mOhm Single P-Channel MOSFET - TO-252-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2422
Product Specification Section
Infineon IPD85P04P4L06ATMA2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: P-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 40V
Drain-Source On Resistance-Max: 6.4mΩ
Rated Power Dissipation: 88W
Qg Gate Charge: 80nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 16V
Drain Current: 85A
Turn-on Delay Time: 17ns
Turn-off Delay Time: 62ns
Rise Time: 10ns
Fall Time: 39ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 1.7V
Technology: OptiMOS
Input Capacitance: 5060pF
Series: OptiMOS-P2
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
2 500
États-Unis:
2 500
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
9 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
Total 
1 687,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.675
5 000
$0.665
7 500
$0.66
10 000
$0.655
12 500+
$0.645
Product Variant Information section