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Référence fabricant
IPP041N12N3GXKSA1
Single N-Channel 120 V 4.1 mOhm 158 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2532 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPP041N12N3GXKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Actif
Actif
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Infineon IPP041N12N3GXKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 120V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 4.1mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 300|W |
| Qg Gate Charge: | 158nC |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$2.28
200
$2.24
500
$2.22
1 250
$2.19
2 000+
$2.16
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole