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Référence fabricant
IPP60R022S7XKSA1
IPP60R Series 600 V 23 A 390 W 22 mOhm Single N-Channel MOSFET - TO-220-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 2426 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPP60R022S7XKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPP60R022S7XKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipp60r022s7xksa1-infineon-4183534
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Infineon IPP60R022S7XKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 22mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 390W |
| Qg Gate Charge: | 150nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 23A |
| Turn-on Delay Time: | 30ns |
| Turn-off Delay Time: | 150ns |
| Rise Time: | 9ns |
| Fall Time: | 9ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Technology: | CoolMOS |
| Input Capacitance: | 5639pF |
| Series: | CoolMOS |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
500
États-Unis:
500
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
50
$5.87
150
$5.83
250
$5.81
750
$5.77
1 250+
$5.73
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole