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Référence fabricant
IRF7241TRPBF
Single P-Channel 40 V 41 mOhm 53 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4000 par Reel Style d'emballage :SOIC-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
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Infineon IRF7241TRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Subject Standardization of lot number format.Reason Harmonize and standardize the lot number format across all external production partners.Description: Lot numberOld - Multiple lot number formatsNew - Standardized into a single 11 alphanumeric lot number formatIntended start of delivery 2023-02-10Note: Customers may receive both current and new lot number formats, until existing inventory will be depleted
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRF7241TRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irf7241trpbf-infineon-2174103
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRF7241TRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irf7241trpbf-infineon-2174103
Infineon IRF7241TRPBF - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | P-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 41mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5|W |
| Qg Gate Charge: | 53nC |
| Style d'emballage : | SOIC-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
It utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
Features:
- Trench Technology
- Ultra Low On-Resistance
- P-Channel MOSFET
- Available in Tape & Reel
- Lead-Free
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4000 par Reel
Style d'emballage :
SOIC-8
Méthode de montage :
Surface Mount