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Référence fabricant

JANTXV2N6800

N-Channel 400 V 3 A 800 mW Through Hole Mosfet - TO-205AF (TO-39)

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon JANTXV2N6800 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 400V
Drain-Source On Resistance-Max: 1.1Ω
Rated Power Dissipation: 25W
Qg Gate Charge: 34.75nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 3A
Turn-on Delay Time: 30ns
Turn-off Delay Time: 55ns
Rise Time: 35ns
Fall Time: 35ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 4V
Input Capacitance: 620pF
Style d'emballage :  TO-39
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
100
Multiples de :
1
Total 
3 960,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$41.58
3
$41.07
10
$40.52
20
$40.20
40+
$39.60
Product Variant Information section