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Référence fabricant
NX2301P,215
P-Channel 20 V 120 mOhm 400 mW Surface Mount TrenchMOS FET - SOT-23
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| Nom du fabricant: | Nexperia | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-23 (SC-59,TO-236) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Nexperia NX2301P,215 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NX2301P,215&field4=Nexperia&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/nx2301p-215-nexperia-9004803
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Nexperia NX2301P,215 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 120mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 400mW |
| Qg Gate Charge: | 4.5nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 8V |
| Drain Current: | 2A |
| Turn-on Delay Time: | 7ns |
| Turn-off Delay Time: | 50ns |
| Rise Time: | 15ns |
| Fall Time: | 25ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 0.75V |
| Input Capacitance: | 380pF |
| Style d'emballage : | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The NX2301P,215 is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small
SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using
Trench MOSFET technology.
Features:
- 1.8 V RDSon rated for Low Voltage Gate Drive
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- AEC-Q101 qualified
Applications:
- Relay driver
- High-speed line driver
- High-side loadswitch
- Switching circuits
View the NX2301P series of P-channel enhancement mode using Trench MOSFET technology
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage :
Surface Mount