Référence fabricant
STP12NM50
N-Channel 550 V 0.35 Ω 28 nC Flange Mount MDmesh™ Power MosFet - TO-220
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) | ||||||||||
| Code de date: | 2435 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STP12NM50 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
STMicroelectronics STP12NM50 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 500V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 350mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 160|W |
| Qg Gate Charge: | 28nC |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
Fonctionnalités et applications
The STPNM50 MDmesh™ is a new revolutionary MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the Company’s PowerMESH™ horizontal layout.
The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the Company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition’s products.
Features:
- High dv/dt and avalanche capabilities
- Low input capacitance and gate charge
- 100% avalanche tested
- Low gate input resistance
- Tight process control and high manufacturing yields
Applications:
- Switching application
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$1.68
40
$1.65
150
$1.63
500
$1.61
2 000+
$1.56
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)