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Référence fabricant
TSM1NB60CW RPG
N-Channel 600 V 0.7 A 11 W Surface Mount Power MOSFET - SOT-223
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| Nom du fabricant: | Taiwan Semiconductor | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :SOT-223 (TO-261-4) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2315 | ||||||||||
Product Specification Section
Taiwan Semiconductor TSM1NB60CW RPG - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=TSM1NB60CW RPG&field4=Taiwan Semiconductor&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/tsm1nb60cw-rpg-taiwan-semiconductor-1185224
Taiwan Semiconductor TSM1NB60CW RPG - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 10Ω |
| Rated Power Dissipation: | 11W |
| Qg Gate Charge: | 7.4nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
| Drain Current: | 0.7A |
| Turn-on Delay Time: | 6.4ns |
| Turn-off Delay Time: | 14ns |
| Rise Time: | 10ns |
| Fall Time: | 26ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3.1V |
| Input Capacitance: | 158pF |
| Style d'emballage : | SOT-223 (TO-261-4) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
5 000
États-Unis:
5 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.315
7 500
$0.31
12 500+
$0.305
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
SOT-223 (TO-261-4)
Méthode de montage :
Surface Mount