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Référence fabricant

BSS192PH6327FTSA1

Single P-Channel 250 V 12 Ohm 4.9 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-89

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon BSS192PH6327FTSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: P-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 250V
Drain-Source On Resistance-Max: 12Ω
Rated Power Dissipation: 1|W
Qg Gate Charge: 4.9nC
Style d'emballage :  SOT-89 (SC-62)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :Order inventroy details
60 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
Total 
134,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$0.134
2 000
$0.132
4 000
$0.13
15 000+
$0.126
Product Variant Information section