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onsemi | FCPF850N80Z

Référence fabricant

FCPF850N80Z

FCPF850N80Z Series 800 V 8 A 850 mOhm N-Channel SuperFET® II Mosfet - TO-220F

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi FCPF850N80Z - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 800V
Drain-Source On Resistance-Max: 850mΩ
Rated Power Dissipation: 28.4W
Qg Gate Charge: 22nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 8A
Turn-on Delay Time: 16ns
Turn-off Delay Time: 40ns
Rise Time: 10ns
Fall Time: 4.5ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 4.5V
Input Capacitance: 990pF
Style d'emballage :  TO-220FP (TO-220FPAB)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
tariff icon
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Total 
2 310,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000
$2.31
2 000
$2.29
3 000+
$2.28
Product Variant Information section