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onsemi | FQD16N25CTM

Référence fabricant

FQD16N25CTM

N-Channel 250 V 0.27 Ohm Surface Mount Mosfet - TO-252-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi FQD16N25CTM - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 250V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.27Ω
Rated Power Dissipation: 160|W
Qg Gate Charge: 53.5nC
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The FQD16N25CTM is a 250 V 0.27 Ω N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.  

Features:

  • 16 A, 250 V, RDS(on) = 0.27 Ω @VGS = 10 V
  • Low gate charge ( typical 41 nC)
  • Low Crss ( typical 68 pF)
  • Fast switching
  • 100% avalanche tested
  • Improved dv/dt capability

Applications:

  • High efficiency switching DC/DC converters
  • Switch mode power supply
  • Motor control
  • Audio amplifier
  • DC-AC converters

Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :Order inventroy details
2 500
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 237,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.495
5 000
$0.49
7 500
$0.485
12 500+
$0.475
Product Variant Information section