Les commandes expédiées à l’extérieur des États-Unis seront en attente pendant que l’entreprise évalue les impacts tarifaires.Veuillez contacter votre vendeur pour obtenir de l’aide.
Livraison gratuite aux États-Unis continentaux à partir de 50 $ US. Des conditions s'appliquent
Référence fabricant
HUF75345S3ST
N-Channel 55 V 0.007 Ohm Surface Mount UltraFET Power Mosfet - TO-263AB
| | |||||||||||
| | |||||||||||
| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Reel Style d'emballage :TO-263AB Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi HUF75345S3ST - Spécifications du produit
Informations de livraison:
L'article ne peut être envoyé à certains pays. Voir la liste
L'article ne peut pas être envoyé aux pays suivants:
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=HUF75345S3ST&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/huf75345s3st-onsemi-9752742
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=HUF75345S3ST&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/huf75345s3st-onsemi-9752742
onsemi HUF75345S3ST - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 55V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.007Ω |
| Rated Power Dissipation: | 325|W |
| Qg Gate Charge: | 275nC |
| Style d'emballage : | TO-263AB |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The HUF75345S3ST is a N-Channel power MOSFET and it is manufactured using the innovative UltraFET® process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance
This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. .
Features:
- 75 A, 55 V
- Simulation models
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Models
- Thermal Impedance SPICE and SABER Models Available on the Web
- Peak Current vs Pulse Width Curve
- UIS Rating Curve
- Related Literature
Applications:
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
800
$3.75
1 600+
$3.70
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
TO-263AB
Méthode de montage :
Surface Mount