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onsemi | HUF75345S3ST

Référence fabricant

HUF75345S3ST

N-Channel 55 V 0.007 Ohm Surface Mount UltraFET Power Mosfet - TO-263AB

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi HUF75345S3ST - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 55V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.007Ω
Rated Power Dissipation: 325|W
Qg Gate Charge: 275nC
Style d'emballage :  TO-263AB
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications
The HUF75345S3ST is a N-Channel power MOSFET and it is manufactured using the innovative UltraFET® process. This advanced process technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance

This device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. .

Features:

  • 75 A, 55 V
  • Simulation models
  • Temperature Compensated PSPICE® and SABER™ Models
  • Thermal Impedance SPICE and SABER Models Available on the Web
  • Peak Current vs Pulse Width Curve
  • UIS Rating Curve
  • Related Literature

Applications:

  • Switching regulators
  • Switching converters
  • Motor drivers
  • Relay drivers
  • Low-voltage bus switches
  • Power management
  • Battery-operated products
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
28 Semaines
Commande minimale :
800
Multiples de :
800
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
7 240,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
800+
$9.05
Product Variant Information section