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Vishay | IRFBF20LPBF

Référence fabricant

IRFBF20LPBF

Single N-Channel 900 V 8 Ohms Through Hole Power Mosfet - I2PAK (TO-262)

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Vishay
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Vishay IRFBF20LPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 900V
Drain-Source On Resistance-Max: 8Ω
Rated Power Dissipation: 3.1|W
Qg Gate Charge: 18nC
Style d'emballage :  TO-262 (I2PAK)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
N/A
Commande minimale :
1000
Multiples de :
50
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 100,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$1.13
200
$1.11
750
$1.10
2 000
$1.09
5 000+
$1.07
Product Variant Information section