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Référence fabricant
IRFBF20LPBF
Single N-Channel 900 V 8 Ohms Through Hole Power Mosfet - I2PAK (TO-262)
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| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
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Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-262 (I2PAK) Méthode de montage :Through Hole |
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Vishay IRFBF20LPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Description of Change: Vishay Siliconix announces that we are going to transfer foundry capacity gradually (phase by phase) to Newport UK for commercial HVM Power MOSFET parts (Gen 3) due to termination of 6-inch wafer foundry at Tower Semiconductor, Israel.Reason for Change: Due to termination of 6-inch wafer foundry at Tower Semiconductor, IsraelStart Shipment Date: Monday September 1, 2025
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFBF20LPBF&field4=Vishay&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfbf20lpbf-vishay-5270640
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFBF20LPBF&field4=Vishay&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfbf20lpbf-vishay-5270640
Vishay IRFBF20LPBF - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 900V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 8Ω |
| Rated Power Dissipation: | 3.1|W |
| Qg Gate Charge: | 18nC |
| Style d'emballage : | TO-262 (I2PAK) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-262 (I2PAK)
Méthode de montage :
Through Hole