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Référence fabricant

IXFT50N85XHV

N-Channel 850 V 50 A 105 mOhm SMT X-Class HiPerFET Power Mosfet - TO-268

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Littelfuse - IXYS
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Littelfuse - IXYS IXFT50N85XHV - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 850V
Drain-Source On Resistance-Max: 105mΩ
Rated Power Dissipation: 890W
Qg Gate Charge: 152nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 30V
Drain Current: 50A
Turn-on Delay Time: 27ns
Turn-off Delay Time: 69ns
Rise Time: 30ns
Fall Time: 14ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 5.5V
Input Capacitance: 4480pF
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
27 Semaines
Commande minimale :
300
Multiples de :
30
Total 
3 786,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1
$13.25
5
$13.10
30
$12.93
100
$12.83
300+
$12.62
Product Variant Information section