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Référence fabricant
SIR5108DP-T1-RE3
100V 55.9A 0.0105 Ohm N-ch PowerPAK SO-8
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| Nom du fabricant: | Vishay | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :POWERPAK-SO-8 Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | 2517 | ||||||||||
Product Specification Section
Vishay SIR5108DP-T1-RE3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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Chine continentale
Code HTS:
8541.29.00.55
ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=SIR5108DP-T1-RE3&field4=Vishay&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/sir5108dp-t1-re3-vishay-8206338
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Vishay SIR5108DP-T1-RE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 10.5mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 5.2W |
| Qg Gate Charge: | 14.8nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 15.4A |
| Turn-on Delay Time: | 11ns |
| Turn-off Delay Time: | 16ns |
| Rise Time: | 6ns |
| Fall Time: | 7ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Input Capacitance: | 1150pF |
| Series: | TrenchFET Gen V |
| Style d'emballage : | POWERPAK-SO-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
6 000
États-Unis:
6 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
52+Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000+
$1.45
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
POWERPAK-SO-8
Méthode de montage :
Surface Mount