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Infineon | AIMZH120R080M1TXKSA1

Référence fabricant

AIMZH120R080M1TXKSA1

SiC,1200V, 31A, 080MOHM, N-CH, TO-247-4

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon AIMZH120R080M1TXKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 31A
Input Capacitance: 671pF
Power Dissipation: 169W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-247-4
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Commande minimale :
240
Multiples de :
30
Total 
1 228,80 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
$5.17
90
$5.14
150
$5.12
450
$5.08
750+
$5.04
Product Variant Information section