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Référence fabricant
BFU760F,115
BFU760 Series 2.8 V 25.5 dB Gain NPN Silicon Germanium RF Transistor-SOT-343F-4
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| Nom du fabricant: | NXP | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-343F-4 Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | |||||||||||
NXP BFU760F,115 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=BFU760F,115&field4=NXP&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--bipolar-transistors/bfu760f-115-nxp-2031554
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NXP BFU760F,115 - Caractéristiques techniques
| Polarity: | NPN |
| Type: | RF |
| CE Voltage-Max: | 2.8V |
| Collector Current Max: | 70mA |
| Power Dissipation-Tot: | 220mW |
| Collector - Base Voltage: | 10V |
| Emitter - Base Voltage: | 1V |
| DC Current Gain-Min: | 155 |
| Collector - Current Cutoff: | 100nA |
| Configuration: | Single |
| Frequency - Transition: | 45GHz |
| Noise Figure: | 0.75dB |
| Moisture Sensitivity Level: | 1 |
| Style d'emballage : | SOT-343F-4 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The BFU760F Series is a NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.
Features:
- Low noise high linearity RF transistor
- High maximum output third-order intercept point 32 dBm at 1.8 GHz
- 110 GHz fT silicon germanium technology
Applications:
- Ka band oscillators DRO’s
- High linearity applications
- Medium output power applications
- Wi-Fi / WLAN / WiMAX
- GPS
- ZigBee
- SDARS first stage LNA
- LTE, cellular, UMTS
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-343F-4
Méthode de montage :
Surface Mount