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Référence fabricant
IRFS7434TRLPBF
Single N-Channel 40 V 1.6 mOhm 216 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :800 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRFS7434TRLPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFS7434TRLPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfs7434trlpbf-infineon-6183590
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Infineon IRFS7434TRLPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.6mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 294|W |
| Qg Gate Charge: | 216nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 320A |
| Turn-on Delay Time: | 24ns |
| Turn-off Delay Time: | 115ns |
| Rise Time: | 68ns |
| Fall Time: | 68ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | Si |
| Input Capacitance: | 10820pF |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
800
$1.09
1 600
$1.08
3 200
$1.07
4 000+
$1.06
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount