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Référence fabricant
MMRF2010NR1
MMRF2010N Series 100 V 1090 MHz RF LDMOS Integrated Power Amplifier -TO-270WB-14
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| Nom du fabricant: | NXP | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :500 par Reel Style d'emballage :TO-270WB-14 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
NXP MMRF2010NR1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=MMRF2010NR1&field4=NXP&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/mmrf2010nr1-nxp-5076522
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NXP MMRF2010NR1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | RF Fet |
| No of Channels: | 2 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 100V |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 10V |
| Operating Temp Range: | -55°C to +225°C |
| Gate Source Threshold: | 1.8V |
| Style d'emballage : | TO-270WB-14 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Quantité
Prix unitaire
500+
$426.01
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
500 par Reel
Style d'emballage :
TO-270WB-14
Méthode de montage :
Surface Mount