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Vishay | SQJ840EP-T1_GE3

Référence fabricant

SQJ840EP-T1_GE3

Single N-Channel 30 V 9.3 mOhm 46 W SMT Automotive Power Mosfet - PowerPAK SO-8L

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Vishay
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Vishay SQJ840EP-T1_GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
No of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 9.3mΩ
Rated Power Dissipation: 46W
Qg Gate Charge: 25.3nC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 30A
Turn-on Delay Time: 11ns
Turn-off Delay Time: 28ns
Rise Time: 11ns
Fall Time: 17ns
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Gate Source Threshold: 1.7V
Input Capacitance: 1550pF
Style d'emballage :  POWERPAK-SO-8L
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
25 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
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Total 
2 280,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.76
6 000
$0.75
9 000+
$0.74
Product Variant Information section