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STMicroelectronics | STP55NF06

Référence fabricant

STP55NF06

N-Channel 60 V 18 mOhm STripFET™ II Power MosFet - TO-220

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STP55NF06 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 18mΩ
Rated Power Dissipation: 110|W
Qg Gate Charge: 44.5nC
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Fonctionnalités et applications

The STP55NF06 is a Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique "Single Feature Size™" strip-based process.

The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

Features:

  • 100% avalanche tested
  • Exceptional dv/dt capability

Applications:

  • Switching application

View the Complete family of STP5 Mosfet Transistors

Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
10 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
50
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 095,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$0.39
200
$0.38
750
$0.37
2 500
$0.365
10 000+
$0.345
Product Variant Information section
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