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Référence fabricant

STW18NM60N

N-Channel 650 V 0.285 Ohm Flange Mount Mdmesh II Power MosFet - TO-247

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STW18NM60N - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Drain-Source On Resistance-Max: 0.285Ω
Rated Power Dissipation: 110|W
Qg Gate Charge: 35nC
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Flange Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
600
Multiples de :
30
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 812,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
30
$3.12
120
$3.07
450
$3.02
750
$3.00
1 500+
$2.95
Product Variant Information section