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Référence fabricant
CY14B108N-BA45XI
NVSRM, 8 MB (512*16), 3V, 45NS, 48 PIN FBGA
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: |
Product Variant Information section
Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :299 par Tray Style d'emballage :FBGA-48 Méthode de montage :Surface Mount |
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| Code de date: | 2425 | ||||||||||
Infineon CY14B108N-BA45XI - Spécifications du produit
Informations de livraison:
Code HTS:
ECCN:
Informations PCN:
Detailed change informationSubject: Change of label affecting dedicated Memory Solutions products: addition of HAL-free markReason:Standardization of labelling for Infineon products. Deeper integration of supply chain and detailed assessment confirmed HAL-free products in Infineon portfolio. Deliveries will start with 25.02.2025 to cascade information to Infineon customers with utmost urgency.Intended start of delivery 2025-02-25
Statut du produit:
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=CY14B108N-BA45XI&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--memory--RAM--nvram--quantum-trap-nvsram/cy14b108n-ba45xi-infineon-7043311
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https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=CY14B108N-BA45XI&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--memory--RAM--nvram--quantum-trap-nvsram/cy14b108n-ba45xi-infineon-7043311
Infineon CY14B108N-BA45XI - Caractéristiques techniques
| Memory Density: | 8Mb |
| Memory Organization: | 512 K x 16 |
| Supply Voltage-Nom: | 2.7V to 3.6V |
| Access Time-Max: | 45ns |
| Interface: | Parallel |
| Power Dissipation: | 1W |
| Temperature Grade: | Industrial |
| Operating Temp Range: | -40°C to +85°C |
| Storage Temperature Range: | -65°C to +150°C |
| Moisture Sensitivity Level: | 3 |
| Style d'emballage : | FBGA-48 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
299 par Tray
Style d'emballage :
FBGA-48
Méthode de montage :
Surface Mount