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Référence fabricant
IPB038N12N3GATMA1
Single N-Channel 120 V 3.8 mOhm 158 nC OptiMOS™ Power Mosfet - D2PAK
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2507 | ||||||||||
Infineon IPB038N12N3GATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Description of Change:Capacity extension of assembly and final test location to Infineon Technologies Tijuana, Mexico for dedicated products in TO263 package.Reason for Change:Extension of assembly and final test sites for additional capacity to ensure the continuity of supply and flexible manufacturing.
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPB038N12N3GATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipb038n12n3gatma1-infineon-1183558
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPB038N12N3GATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipb038n12n3gatma1-infineon-1183558
Infineon IPB038N12N3GATMA1 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 120V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3.8mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 300|W |
| Qg Gate Charge: | 158nC |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount