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Référence fabricant
IRFH7085TRPBF
Single N-Channel 60 V 3.2 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :4000 par Reel Style d'emballage :PQFN 5 x 6 mm Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Infineon IRFH7085TRPBF - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Detailed change informationSubject:Change of passivation at Infineon Technologies Kulim, Malaysia, for dedicated TISON, TDSON, TSDSON and IQFN productsDescription OldDie passivation - Epoxy resin material ANew:- Epoxy resin material BReason:Ensuring continuity of supply due to end of life of material from supplierIntended start of delivery 2025-08-01
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IRFH7085TRPBF&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/de/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/irfh7085trpbf-infineon-5046315
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Infineon IRFH7085TRPBF - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3.2mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 156W |
| Qg Gate Charge: | 110nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 23A |
| Turn-on Delay Time: | 13ns |
| Turn-off Delay Time: | 63ns |
| Rise Time: | 25s |
| Fall Time: | 23s |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3.7V |
| Input Capacitance: | 6460pF |
| Style d'emballage : | PQFN 5 x 6 mm |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
4000 par Reel
Style d'emballage :
PQFN 5 x 6 mm
Méthode de montage :
Surface Mount