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STMicroelectronics | STD1HN60K3

Référence fabricant

STD1HN60K3

N-Channel 600 V 8 Ohm SMT SuperMESH3 Power Mosfet - DPAK

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
STMicroelectronics STD1HN60K3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 8Ω
Rated Power Dissipation: 27|W
Qg Gate Charge: 9.5nC
Style d'emballage :  TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
-1
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
2500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
1 712,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.685
5 000
$0.675
7 500
$0.67
10 000
$0.665
12 500+
$0.655
Product Variant Information section