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Infineon | CY14B101LA-ZS20XIT

Référence fabricant

CY14B101LA-ZS20XIT

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 1Mb (128K x 8) Parallel 20ns 44-TSOP II

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon CY14B101LA-ZS20XIT - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Memory Density: 1Mb
Memory Organization: 128 K x 8
Supply Voltage-Nom: 2.7V to 3.6V
Access Time-Max: 20ns
Interface: Parallel
Power Dissipation: 1W
Temperature Grade: Industrial
Operating Temp Range: -40°C to +85°C
Storage Temperature Range: -65°C to +150°C
Moisture Sensitivity Level: 3
Style d'emballage :  TSOP II-44
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
Total 
20 550,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
1 000+
$20.55
Product Variant Information section