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Référence fabricant
NGW30T65M3DFPQ
Nexperia 650 V, 40 A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode
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| Nom du fabricant: | Nexperia | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :450 par Reel | ||||||||||
| Code de date: | 2538 | ||||||||||
Product Specification Section
Nexperia NGW30T65M3DFPQ - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=NGW30T65M3DFPQ&field4=Nexperia&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/ngw30t65m3dfpq-nexperia-9205132
Pricing Section
Stock global :
900
États-Unis:
900
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
450
$3.08
900
$3.06
1 350
$3.05
1 800
$3.04
2 250+
$3.00
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
450 par Reel