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Référence fabricant

SPP06N80C3XKSA1

Single N-Channel 800 V 900 mOhm 31 nC CoolMOS™ Power Mosfet - TO-220-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2517
Product Specification Section
Infineon SPP06N80C3XKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 800V
Drain-Source On Resistance-Max: 900mΩ
Rated Power Dissipation: 83|W
Qg Gate Charge: 31nC
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Commande minimale :
500
Multiples de :
50
Total 
472,50 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$0.945
1 500
$0.925
2 000
$0.92
5 000
$0.90
7 500+
$0.885
Product Variant Information section